PV মডিউলের আউটপুট পাওয়ার গণনা

নামমাত্র ক্ষমতা এবং স্ট্যান্ডার্ড পরীক্ষার শর্ত (STC)

একটি PV মডিউলের কার্যকারিতা সাধারণত স্ট্যান্ডার্ড পরীক্ষার শর্ত (STC) অনুযায়ী IEC 60904-1 মান অনুযায়ী মাপা হয়:

• র বিকিরণ 1000 W/m² (সর্বোত্তম সূর্যালোক এক্সপোজার)
• মডিউলের তাপমাত্রা 25°C
• স্বাভাবিকীকৃত আলোক বর্ণালী (IEC 60904-3)

দুই-মুখী (bifacial) মডিউল, যা উভয় দিক থেকে আলো শোষণ করতে পারে, ভূ-পৃষ্ঠের প্রতিফলন (Albedo) দ্বারা শক্তি উৎপাদন বাড়াতে পারে। PVGIS.COM এই মডিউলগুলিকে এখনো মডেলিং করে না, তবে একটি বিকল্প পদ্ধতি হলো BNPI (Bifacial Nameplate Irradiance) ব্যবহার করা, যা নিম্নরূপ সংজ্ঞায়িত:
P_BNPI = P_STC * (1 + φ * 0,135), যেখানে φ হলো বাইফ্যাসিয়াল ফ্যাক্টর।

দুই-মুখী মডিউলের সীমাবদ্ধতা:

• ল্ডিং-ইন্টিগ্রেটেড PV সিস্টেমের জন্য উপযুক্ত নয়, যেখানে পিছনের অংশ ছায়ায় থাকতে পারে।
• দিকনির্দেশনা অনুসারে কর্মক্ষমতা পরিবর্তিত হয় (যেমন, উত্তর-দক্ষিণ অক্ষ বরাবর পূর্ব-পশ্চিম মুখী প্যানেল)।

PV মডিউলের প্রকৃত আউটপুট পাওয়ার অনুমান
বাস্তব অপারেটিং শর্ত STC থেকে পৃথক, যা আউটপুট পাওয়ার সরাসরি প্রভাবিত করে। PVGIS.COM গণনার নির্ভুলতা উন্নত করতে একাধিক সংশোধন প্রয়োগ করে।

1. তিফলন এবং আলোর পতন কোণ
যখন আলো PV মডিউলের উপর পড়ে, কিছু অংশ প্রতিফলিত হয় এবং বিদ্যুতের মধ্যে রূপান্তরিত হয় না। যত বেশি পতন কোণ, তত বেশি প্রতিফলনজনিত ক্ষতি। 📉 উৎপাদনের উপর প্রভাব: এই ক্ষতি সাধারণত ২-৪%, তবে সূর্য ট্র্যাকিং সিস্টেম ব্যবহার করা হলে ক্ষতি কম হয়।

2. সৌর বর্ণালির PV দক্ষতার উপর প্রভাব
PV মডিউল নির্দিষ্ট আলোক তরঙ্গদৈর্ঘ্যের প্রতি সংবেদনশীল, যা PV প্রযুক্তির উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হয়:

• স্টালাইন সিলিকন (c-Si) → দৃশ্যমান এবং ইনফ্রারেড আলোতে সংবেদনশীল
• CdTe, CIGS, a-Si → ভিন্ন বর্ণালী সংবেদনশীলতা, ইনফ্রারেড আলোতে কম প্রতিক্রিয়া

বর্ণালীকে প্রভাবিতকারী কারণ:

• সকাল এবং সন্ধ্যার আলোতে লাল আলো বেশি থাকে।
• ঘলা দিনে নীল আলো বেশি থাকে।
• বর্ণালির পরিবর্তন সরাসরি PV পাওয়ার আউটপুটকে প্রভাবিত করে।
  PVGIS.COM স্যাটেলাইট ডেটা ব্যবহার করে এই পরিবর্তনগুলিকে সামঞ্জস্য করে এবং গণনার নির্ভুলতা উন্নত করে।

সৌর বিকিরণ এবং তাপমাত্রার PV পাওয়ার উপর প্রভাব

তাপমাত্রা এবং দক্ষতা

PV মডিউলের দক্ষতা তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায়, যা PV প্রযুক্তির উপর নির্ভর করে:

• উচ্চ বিকিরণে (>1000 W/m²) মডিউলের তাপমাত্রা বৃদ্ধি পায় → দক্ষতার ক্ষতি হয়
• নিম্ন বিকিরণে (<400 W/m²) দক্ষতা PV সেলের ধরণের উপর নির্ভর করে

PVGIS.COM-এ মডেলিং

PVGIS.COM বিকিরণ (G) এবং মডিউলের তাপমাত্রা (Tm) ভিত্তিতে PV শক্তি সমন্বয় করে, একটি গাণিতিক মডেল (Huld et al.,2011) ব্যবহার করে:

P = (G/1000) * A * eff(G, Tm)

PV মডিউলের তাপমাত্রা মডেলিং

তাপমাত্রাকে প্রভাবিতকারী কারণ (Tm):

• পরিবেষ্টিত তাপমাত্রা (Ta)
• সৌর বিকিরণ (G)
• বায়ু চলাচল (W) – বাতাস মডিউলকে ঠান্ডা করতে পারে
• PVGIS-এ তাপমাত্রা মডেল(Faiman, 2008):
  Tm = Ta + G / (U0 + U1W)

U0 এবং U1 সহগগুলি ইনস্টলেশনের ধরণের উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হয়:

PV প্রযুক্তি	ইনস্টলেশন	U0 (W/°C-m²)	U1 (W-s/°C-m³)
c-Si	ফ্রিস্ট্যান্ডিং	26.9	26.9
c-Si	BIPV/BAPV	20.0	20.0
CIGS	ফ্রিস্ট্যান্ডিং	22.64	22.64
CIGS	BIPV/BAPV	20.0	20.0
CdTe	ফ্রিস্ট্যান্ডিং	23.37	23.37
CdTe	BIPV/BAPV	20.0	20.0

সিস্টেমের ক্ষতি এবং PV মডিউলের বার্ধক্য বার্ধক্যজনিত পারফরম্যান্সের অবনতি

গবেষণা Jordan & Kurtz (2013) অনুসারে, PV মডিউল প্রতি বছর গড়ে 0.5% শক্তি হারায়। 20 বছর পর, এর আউটপুট প্রাথমিক ক্ষমতার 90% এ নেমে আসে।

• PVGIS.COM প্রথম বছরে 3% সিস্টেম লস এবং পরবর্তী প্রতিটি বছরে 0.5% লস নির্ধারণের পরামর্শ দেয়।

অন্যান্য কারণগুলি বিবেচনা করা হয় না PVGIS

কিছু প্রভাব পিভি উত্পাদনকে প্রভাবিত করে তবে এতে অন্তর্ভুক্ত নয় PVGIS:

• প্যানেলগুলিতে তুষার: মারাত্মকভাবে উত্পাদন হ্রাস করে। তুষারপাতের ফ্রিকোয়েন্সি এবং সময়কালের উপর নির্ভর করে।
• ধুলো এবং ময়লা জমে: পরিষ্কার এবং বৃষ্টিপাতের উপর নির্ভর করে পিভি শক্তি হ্রাস করে।
• আংশিক শেডিং: মডিউলটি ছায়াযুক্ত থাকলে শক্ত প্রভাব রয়েছে। এই প্রভাবটি অবশ্যই পিভি ইনস্টলেশন চলাকালীন পরিচালনা করা উচিত।

উপসংহার

উন্নত PV মডেলিং এবং স্যাটেলাইট ডেটা ব্যবহার করে, PVGIS.COM সঠিকভাবে PV মডিউলের আউটপুট শক্তি গণনা করে, যা পরিবেশগত এবং প্রযুক্তিগত কারণগুলি বিবেচনা করে, এবং সৌর শক্তি উৎপাদন অপ্টিমাইজ করতে সহায়তা করে

কেন PVGIS.COM ব্যবহার করবেন?

সৌর বিকিরণ এবং PV মডিউলের তাপমাত্রার উন্নত মডেলিং

জলবায়ু এবং বর্ণালী ডেটার উপর ভিত্তি করে সমন্বয়

স্টেমের ক্ষতি ও বার্ধক্য নির্ধারণে নির্ভরযোগ্য অনুমান

প্রতিটি অবস্থানের জন্য সৌর শক্তি উৎপাদনের অপ্টিমাইজেশন